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PECVD等离子体增强气相沉积是一款1200℃等离子增强混合物理化学气相沉积（HPCVD)双温区回转炉系统源（带自动匹配功能）、上游原位蒸发舟、4通道质子流量计控制系统及性能优异的真空泵组成。此于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆（如：制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等）。

CVD（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积）是一种用于薄膜沉积的技术。它通过将气态化学前驱体反应成固态沉积物，在基材表面形成薄膜。CVD广泛应用于半导体制造、光伏设备、涂层和材料科学等领域。

双通道ALD管式炉系统ALD-1200X-4是一款4英寸管式炉系统，包含用于原子层沉积的2个ALD进气阀、1个精密液体气相发CVD生长纳米材料和薄膜材料的4通道质子流量计控制系统。该管式炉系统简洁的设计使得更多的科担的低成本情况下实现ALD工艺实验。

GSL-1100X-III-D11是一款大面积双管石墨烯生长炉，其最高温度可以达到1100℃。特殊的双管设计，法在箔材上大面积生长材料（面积：~7000 cm^2，箔材缠绕在内管的外壁上）。一个送管装置可以外管内部或从外管中取出。此款设备特别适合大面积生长石墨烯和柔性电极材料。

1200℃等离子增强HPCVD回转炉系统，OTF-1200X-II-PEC4是一款1200℃等离子增强混合物理化学气相沉积（HPCVD)双温区回转炉系统源（带自动匹配功能）、上游原位蒸发舟、4通道质子流量计控制系统及性能优异的真空泵组成。此于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆（如：制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等）。

GSL-1700X-HVC是一款CE认证的二通道高真空CVD系统，它是由二路质子混气系统和高真空机组组度可达1600℃，极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精确的混气，然后导